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基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管性能详解
追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力，基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管，这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管家族中的新成员。相较于前两代二极管，基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管在沿用6英寸晶圆工艺基础上...
2022-02-08
基本半导体 碳化硅肖特基二极管
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针对SiC串扰抑制方法的测试报告
近年来，以SiCMOSFET 为代表的宽禁带半导体器件因其具有高开关频率、高开关速度、高热导率等优点，已成为高频、高温、高功率密度电力电子变换器的理想选择。然而随着SiC MOSFET开关速度加快，桥式电路受寄生参数影响加剧，串扰现象更加严重。由于SiC MOSFET 正向阈值电压与负向安全电压较小，串扰问...
2022-02-08
SiCMOSFET 串扰抑制
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焦耳偷窃电路
这是一个来自于网站 Circuits DIY[1] 中的一篇博文，名字很有趣：Simple Joule Thief Circuit[2] ，直译为焦耳偷窃电路。这个电路允许使用一个低压电池（比如1.5V的干电池）去点亮一个原本需要1.85V才能够点亮的白色LED。在博文 几种不同颜色LED的V-A曲线[3] 中，给出了不同颜色LED导通所需要的电...
2022-02-08
焦耳偷窃电路 原理图
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Bourns宣布IsoMOV™ 保护器荣获 2021 年度电子产品无源产品奖
Bourns宣布，其 IsoMOV™ 保护器赢得了2021 年度电子产品无源产品奖。Bourns® IsoMOV ™ 混合保护组件被选为 MOV 设备设计的重大突破。完全集成的 GDT 和 MOV 混合设计提供了一种创新的保护解决方案，可解决 MOV 退化问题，同时显着提高浪涌性能、使用寿命和设备可靠性。
2022-02-07
Bourns IsoMOV™ 保护器 无源产品奖
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开关电源设计中的频率选择（下）
本文是深入研究开关频率设计的系列文章之下篇。上篇回顾了如何计算开关频率的关键指标，以及更高频率设计的难点所在。本文将把这些开关频率的概念应用到实际场景当中。
2022-02-07
开关电源 设计 频率
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识别并消除次谐波振荡
DC/DC的不稳定是由多种因素造成的，例如补偿参数不当或布局不足。本文将主要讨论次谐波振荡，这是一种当电流模式开关稳压器具有连续电感电流且占空比超过 50% 时可能产生的不稳定形式，而这种振荡会导致不稳定的电源。
2022-02-07
消除 次谐波振荡 开关稳压器
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如何控制原边振铃
反激电源是最常用的拓扑之一。其变压器漏感常会引起原边振铃，并导致会损坏 MOSFET 的电压尖峰。因此，通过变压器和MOSFET 组件的合理设计来控制振铃非常重要。针对如何降低漏感，MPS 引入了一种 RCD 钳位电路设计策略，下面我们将对此进行详细地描述。
2022-02-07
控制 原边 振铃
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