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碳化硅功率晶体的设计发展及驱动电压限制
传统上在高压功率晶体的设计中，采用硅材料的功率晶体要达到低通态电阻，必须采用超级结技术（superjunction），利用电荷补偿的方式使磊晶层（Epitaxial layer）内的垂直电场分布均匀，有效减少磊晶层厚度及其造成的通态电阻。
2021-10-25
碳化硅功率晶体 驱动电压
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如何减少电容器声音噪声？
当在音频范围内的频率下工作时，某些表面贴装电容器会表现出噪声。最近的设计使用10μF，35V X5R 1206陶瓷电容器，该电容器会产生明显的声音噪声。要使这样的板静音，可以使用Murata和Kemet等制造商的声学静音电容器。
2021-10-25
电容器 噪声
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带有快速体二极管的MOSFET器件通过LLC拓扑和FREDFET来提高效率
鉴于全球能源危机，当前电子设备的重点是实现高功率与低能耗的结合。因此，许多电子公司都在提高其众多产品规格中的效率标准。然而，常规的硬开关转换器几乎无法满足这些要求。
2021-10-24
快速体二极管 MOSFET器件 LLC拓扑 FREDFET
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聚焦2021CISES，爱芯元智仇肖莘详解AI技术为ISP发展带来新转机
近日，为期两天的中国国际半导体高层峰会（CISES）在上海成功举办，作为全球规模最大的半导体制造产业年度盛会之一，峰会聚焦行业发展新动态、新趋势、新产品，致力于为业界高端决策者及重要人士提供国际性合作交流平台，使其快速了解主要市场和政府对半导体制造业的未来规划，拓展更加广阔的商业平...
2021-10-21
爱芯元智 AI技术 ISP
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瑞萨推出Renesas Ready合作伙伴网络 为广泛的MCU产品线提供商业级构建模块
2021 年 10 月 20 日，日本东京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团（TSE：6723）今日宣布，推出全球化技术合作伙伴网络——“Renesas Ready合作伙伴网络（Renesas Ready Partner Network）”，为广泛的MCU产品线提供商业级构建模块。该网络所带来的广泛解决方案面向下一代物联网设计所需的重要...
2021-10-21
瑞萨 Renesas Ready合作伙伴网络 MCU
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前端放大器中使用ESD二极管作为电压钳的设计
在输入不受系统控制而是连接到外部世界的许多应用中，例如测试设备、仪器仪表和一些传感设备，输入电压可能会超过前端放大器的ZD额定电压。在这些应用中，必须实施保护方案以保持设计的生存范围和稳健性。
2021-10-20
前端放大器 ESD二极管 电路设计
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智能资产追踪标签：包裹追踪的未来
2018年底，我们当时正在考虑安排哪些同事前往2019 CES消费电子展参展，那时我们不知道这将是我们大多数人近几年中最后一次亲身参加的大型展会。那年早些时候，我们认识了一家总部位于美国加州伯克利的印刷电池制造商。他们的标志性产品是信用卡大小、厚度不到1毫米、灵活的一次性电池。
2021-10-19
智能 资产追踪 包裹追踪
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UWB技术的工作原理探讨
要知道：超宽带技术 (UWB) 是最佳定位跟踪技术，您应该使用这项技术。没了，感谢阅读本书。当然，只是开个玩笑。我们可以说 UWB 是当今最好、最先进的定位技术，但证据呢？要回答这个问题，我们需要透过现象看本质。
2021-10-19
UWB技术 工作原理
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一文读懂CAN节点错误管理机制
CAN节点的稳定性、可靠性和安全性得益于其强大的错误管理机制。那么，CAN节点为什么能感知错误？又是如何响应错误？您是否能清晰地想象出这一过程？本文将为大家详细分析CAN节点错误管理的工作过程。
2021-10-19
CAN节点 管理机制
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