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电路保护

对比双电源分立式和集成式仪表放大器

设计分立式仪表放大器 (IA) 与集成式 IA 的优点和缺点有很多，而且经常争论不休。需要考虑的一些变量包括印刷电路板 (PCB) 面积、增益范围、性能（随温度变化）和成本。本文的目的是比较三种双电源 IA 电路：使用四路运算放大器 (op amp) 的分立式 IA、具有集成增益设置电阻器 (RG) 的通用 IA 和带...

2024-12-13

双电源分立式集成式仪表放大器

无辅助绕组 GaN 反激式转换器如何解决交流/直流适配器设计难题

人们对更小、更高效电源的需求不断增长，进而推动着基于氮化镓 (GaN) 的功率级快速普及。在交流/直流适配器市场中，制造商正在迅速利用 GaN 反激式转换器，通过功能越来越强大但尺寸越来越小的适配器，帮助扩大 USB Type-C® 接口的市场规模。

2024-12-13

无辅助绕组 GaN 反激式转换器交流/直流适配器

如何选择有效的ESD保护二极管

ESD 保护器件的目的是将数千伏的 ESD 输入降低至受保护 IC 的安全电压，并将电流从 IC 分流出去。尽管所需 ESD 波形的输入电压和电流在过去几年中没有变化，但保护 IC 所需的安全电压水平却有所下降。过去，IC 设计对 ESD 更加稳健，并且可以处理更高的电压，因此选择能够满足 IEC61000-4-2 4 级要...

2024-12-12

ESD 保护二极管

第11讲：三菱电机工业SiC芯片技术

1200V级SiC MOSFET是一种能充分发挥SiC优势的器件，广泛应用于工业、汽车等领域。目前，1200V级SiC MOSFET被多家器件厂商定位为主力产品，本文主要介绍三菱电机1200V级SiC MOSFET的技术开发概要。

2024-12-12

三菱电机工业 SiC 芯片技术

用4200A和矩阵开关搭建自动智能的可靠性评估平台

在现代ULSI电路中沟道热载流子（CHC）诱导的退化是一个重要的与可靠性相关的问题。载流子在通过MOSFET通道的大电场加速时获得动能。当大多数载流子到达漏极时，热载流子（动能非常高的载流子）由于原子能级碰撞的冲击电离，可以在漏极附近产生电子—空穴对。

2024-12-12

矩阵开关热载流子

功率器件热设计基础（七）——热等效模型

有了热阻热容的概念，自然就会想到在导热材料串并联时，就可以用阻容网络来描述。一个带铜基板的模块有7层材料构成，各层都有一定的热阻和热容，哪怕是散热器，其本身也有热阻和热容。整个散热通路还包括导热脂、散热器和环境。不同时间尺度下的各层温度如下图，温度的纹波是由热容决定的。

2024-12-11

功率器件热设计热等效模型

学子专区—ADALM2000实验：调谐放大器级—第2部分

正如我们在上一组实验中了解到的，二阶LC谐振电路通常用作放大器级中的调谐元件。如图1所示，简单的并联LC谐振电路可以产生电压增益，但需要消耗电流来驱动阻性负载。缓冲放大器（如射极跟随器）可以提供所需的电流（或功率）增益来驱动负载。

2024-12-11

ADALM2000 调谐放大器

功率器件热设计基础（六）——瞬态热测量

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

2024-12-09

功率器件瞬态热测量

功率器件热设计基础（五）——功率半导体热容

2024-12-06

功率器件热容

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