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功率器件热设计基础（八）——利用瞬态热阻计算二极管浪涌电流
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-12-25
功率器件 热设计 瞬态热阻 二极管 浪涌电流
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功率器件热设计基础（九）——功率半导体模块的热扩散
任何导热材料都有热阻，而且热阻与材料面积成反比，与厚度成正比。按道理说，铜基板也会有额外的热阻，那为什么实际情况是有铜基板的模块散热更好呢？这是因为热的横向扩散带来的好处。
2024-12-22
功率器件 热设计 功率半导体模块 热扩散
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准 Z 源逆变器的设计
qZSI 旨在解决与可再生能源中电压范围受限相关的挑战，与 CSI 和 VSI 等传统逆变器拓扑不同，qZSI 可以处理功率波动。qZSI 拓扑结构增强了对突然电压尖峰等故障的容忍度，从而提高了电压转换的整体效率和可靠性。QZSI 是从 Z 源逆变器 （ZSI） 拓扑演变而来的，允许在一个阶段进行升压和降压操作。
2024-12-22
逆变器
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第12讲：三菱电机高压SiC芯片技术
三菱电机开发了高耐压SiC MOSFET，并将其产品化，率先将其应用于驱动铁路车辆的变流器中，是一家在市场上拥有良好业绩记录的SiC器件制造商。本篇带你了解三菱电机高压SiC芯片技术。
2024-12-22
三菱电机 SiC 芯片技术
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一文看懂电压转换的级联和混合概念
对于需要从高输入电压转换到极低输出电压的应用，有不同的解决方案。一个有趣的例子是从48 V转换到3.3 V。这样的规格不仅在信息技术市场的服务器应用中很常见，在电信应用中同样常见。
2024-12-22
电压转换 级联 混合
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运算放大器参数的简易测量“指南”
运算放大器是差分输入、单端输出的极高增益放大器，常用于高精度模拟电路，因此必须精确测量其性能。但在开环测量中，其开环增益可能高达107或更高，而拾取、杂散电流或塞贝克（热电偶）效应可能会在放大器输入端产生非常小的电压，这样误差将难以避免。
2024-12-20
运算放大器 测量
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借助热插拔控制器，确保系统持续稳定运行
在电子产品中，在不中断系统运行的情况下安全地插入和拔出电源模块的能力至关重要。众所周知，热插拔1已成为从数据中心到电信系统等许多应用的基本功能。为了确保系统在这些操作期间的安全性和完整性，需要专门的控制器。ADI公司的LTC4287在这类产品中具有明显优势。本文深入探讨了这款热插拔控制器...
2024-12-16
热插拔 控制器
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探究电路里0.1uF和0.01uF电容的共存之谜
旁路电容(Bypass Capacitor)和去耦电容(Decoupling Capacitor)这两个概念在电路中是常见的，但是真正理解起来并不容易。
2024-12-16
电路 电容
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为何混合型交流浪涌保护器是浪涌保护首选？
现在的电子设备无处不在且发展迅速，其越来越敏感的电路在很大程度上依赖前端保护，因为它们要接入电力基础设施，而这些基础设施可能有或者没有最新的电压浪涌和瞬态保护功能。这些瞬态事件可能是由雷击、开关动作或类似的电压浪涌事件造成的结果，会导致过电压和过电流事件，进而损坏敏感电子设备...
2024-12-16
交流浪涌保护器 浪涌保护
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