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电路保护

LLC转换器设计稳健型同步整流解决方案

为了理解这种技术，让我们回顾一些为LLC转换器设计稳健型同步整流解决方案时遇到的挑战。在其最简单的层面上，同步整流需要金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）仿真二极管的行为。简言之，当电流拟从正极流向负极时，MOSFET导通。一旦电流开始从负极流向正极，则MOSFET关断。

2022-02-09

LLC转换器稳健型同步整流

LDO如何更加功效

随着物联网（IoT）不断占领于我们的住宅和办公场所，我们会发现越来越多的电器和系统集成了电子元器件，而且我们能够在世界上的任何一个角落访问这些电器和系统。不过，由于有如此之多的设备被连接到我们的住宅和办公室，我们消耗了难以计数的待机电能。

2022-02-08

LDO 物联网

可编程输入倍频法如何减少整数边界杂散

您曾设计过具有分数频率合成器的锁相环（PLL）吗？这种合成器在整数通道上看起来很棒，但在只稍微偏离这些整数通道的频率点上杂散就会变得高很多，是吧？如果是这样的话，您就已经遇到过整数边界杂散现象了 —— 该现象发生在载波的偏移距离等于到最近整数通道的距离时。

2022-02-08

可编程输入倍频法整数边界杂散

如何仿真转换器的数字输入／输出

对于SAR-ADC的仿真比较复杂。目前来看，还没有准确模拟整个器件的完整转换器模型。现有资源是一个仿真模拟输入引脚稳定性的模拟SPICE文件。有了它，用户就有了一款强大工具，使用户能够解决其中一个最关键、最棘手的转换器问题。

2022-02-08

仿真转换器数字输入／输出

针对SiC串扰抑制方法的测试报告

近年来，以SiCMOSFET 为代表的宽禁带半导体器件因其具有高开关频率、高开关速度、高热导率等优点，已成为高频、高温、高功率密度电力电子变换器的理想选择。然而随着SiC MOSFET开关速度加快，桥式电路受寄生参数影响加剧，串扰现象更加严重。由于SiC MOSFET 正向阈值电压与负向安全电压较小，串扰问...

2022-02-08

SiCMOSFET 串扰抑制

Bourns宣布IsoMOV™ 保护器荣获 2021 年度电子产品无源产品奖

Bourns宣布，其 IsoMOV™ 保护器赢得了2021 年度电子产品无源产品奖。Bourns® IsoMOV ™ 混合保护组件被选为 MOV 设备设计的重大突破。完全集成的 GDT 和 MOV 混合设计提供了一种创新的保护解决方案，可解决 MOV 退化问题，同时显着提高浪涌性能、使用寿命和设备可靠性。

2022-02-07

Bourns IsoMOV™ 保护器无源产品奖

贸泽电子新品推荐：2021全年推出近70000个新物料

致力于快速引入新产品与新技术的业界知名分销商贸泽电子，首要任务是提供来自1200多家知名厂商的新产品与技术，帮助客户设计出先进产品，并加快产品上市速度。贸泽旨在为客户提供全面认证的原厂产品，并提供全方位的制造商可追溯性。

2022-01-27

贸泽电子新物料

在当今高压半导体器件上执行击穿电压和漏流测量

在经过多年研究和设计之后，碳化硅(SiC)和氮化镓 (GaN)功率器件正变得越来越实用。这些器件尽管性能很高，但它们也带来了许多挑战，包括栅极驱动要求。SiC要求的栅极电压(Vgs)要高得多，在负偏置电压时会关闭。GaN的阈值电压(Vth)则低得多，要求严格的栅极驱动设计。宽带隙(WBG)器件由于物理特点，...

2022-01-27

高压半导体器件击穿电压漏流测量

担心栅极驱动器的绝缘能力？采用'BIER'测试吧

最新的宽带间隙（WBG）半导体正走向最理想的状态，也就是具有高电压和低损耗的超快速切换，而现代的MOSFET和沟槽IGBT也可以有高dV/dt和di/dt。然而，下桥臂电路中的快速切换会将瞬态电压耦合到栅极驱动电路，从而造成混乱或损坏，同时上桥臂栅极驱动器的信号和电源隔离还会受到应力影响。本文将探讨...

2022-01-27

栅极驱动器绝缘能力 BIER测试

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