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电源管理

大功率晶闸管参数解析之开关特性

功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器、UPS、交流静态开关、SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘自英飞凌英文版应用指南AN2012-01《双极性半导体技术信息》。

2021-09-08

晶闸管参数解析开关特性

新兴汽车开关应用

自动驾驶汽车人工智能的发展正逐渐改变人们的驾乘体验。全自动驾驶车辆将为汽车驾驶舱带来彻底的变革。实际上，我们已经看到具备半自动驾驶功能的汽车的出现。功能性和舒适性是推动汽车内部变化的主要因素。考虑到车辆内的功能越来越多，对于联系驾驶员和驾驶舱新环境之间的用户界面，设计师和工程...

2021-09-08

汽车开关应用

贸泽联手安森美推出全新资源平台，分享BLDC电机控制新品与技术见解

2021年9月7日 – 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 与推动节能创新的半导体解决方案知名供应商安森美(onsemi)合作，创建了一个全新内容平台，用于介绍无刷直流 (BLDC) 电机控制资源、产品和技术见解。安森美在MOSFET和其他电源、传感和保护设备领域处于...

2021-09-07

贸泽安森美 BLDC电机控制

在正确的比较中了解SiC FET导通电阻随温度产生的变化

比较SiC开关的数据资料并非易事。由于导通电阻的温度系数较低，SiC MOSFET似乎占据了优势，但是这一指标也代表着与UnitedSiC FET相比，它的潜在损耗较高，整体效率低。

2021-09-07

SiC FET 导通电阻温度变化

负压脉冲高？教你3招制伏

随着5G通信与新能源车的普及，人们对高效率电源的需求越来越多。而提升电源转换效率的关键因素就在于开关电源中的功率部分。

2021-09-07

负压脉 5G通信电源效率

开关电源中的局部放电

局部放电（partial discharge，简称PD）现象，通常主要指的是高压电气设备绝缘层在足够强的电场作用下局部范围内发生的放电，某个区域的电场强度一旦达到其介质击穿场强时，该区域就会出现放电现象。这种放电以仅造成导体间的绝缘局部短（路桥）接而不形成导电通道为限。每一次局部放电对绝缘介质都...

2021-09-07

开关电源局部放电

板子上的MOSFET莫名炸机，多半是这个原因！

MOSFET、IGBT是开关电源最核心也是最容易烧坏的器件！其原因大多是过压或过流导致功耗大增，从而使器件损坏，甚至可能会伴随爆炸。而SOA安全工作区测试，就是保障其安全工作的重要测试项目！

2021-09-07

MOSFET 炸机开关电源

新能源汽车驱动电机结构与工作原理

驱动电机是电动汽车驱动系统的核心部件，是车辆行驶的主要执行机构，其特性决定了车辆的主要性能指标，直接影响车辆动力性、经济性和舒适性。它是把电能转换为机械能的一种设备，它利用励磁线圈，产生旋转磁场形成磁电动力旋转力矩。导线在磁场中受力的作用，使电机输出转矩。

2021-09-07

新能源汽车驱动电机工作原理

X-FAB与派恩杰达成长期战略合作，共同推动全球SiC产业发展

2021年9月6日，模拟晶圆代工龙头企业X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和国产SiC功率器件供应商派恩杰联合对外宣布，双方就批量生产SiC晶圆建立长期战略合作关系，此前双方已经合作近三年时间。

2021-09-06

X-FAB SiC功率器件派恩杰

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