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碳化硅能效革命核心突破点：共源共栅（cascode）结构详解
安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共栅场效应晶体管（SiC JFET cascode）在硬开关与软开关应用场景中展现出显著技术优势。其官方发布的《SiC JFET共源共栅应用指南》系列文档，通过三篇技术解析深入剖析器件特性，本文作为开篇之作，将聚焦阐释cascode结构的核心机理。该指南不仅系统阐述共源共栅器件的拓扑架构，更对关键电参数、独特性能优势及设计支持体系进行全方位解读，为功率半导体开发者提供从基础理论到实践应用的完整技术指引。
2025-04-08
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二次整流电路设计难点解析
在电源工程师欢呼有源钳位正激转换器(ACFC)突破50%占空比限制之际，一个被长期忽视的设计陷阱正在浮现——最小占空比(Dmin)的精细控制已成为决定系统可靠性的生死线。实测数据显示，当Dmin低于15%时，ACFC的开关损耗会陡增300%，电磁干扰(EMI)恶化达18dBμV。
2025-04-08
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深度剖析栅极驱动器IC在半桥拓扑电源转换中的选型指南与隔离设计
半桥拓扑结构广泛用于各种商业和工业应用的电源转换器件中。这种开关模式配置的核心是栅极驱动器IC，其主要功能是使用脉宽调制信号向高端和低端MOSFET功率开关提供干净的电平转换信号。
2025-03-19
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电子保险丝选型要点全解析
尽管变化很大，但保险丝的基本功能始终如一。保险丝始终都是保护电路免受过电流影响的保护器件，无论过电流是数百安培，还是仅仅几毫安。通常情况下，采取的保护措施是将电路与电源断开。对于传统保险丝来说，这意味着保险丝会熔断，需要实际更换保险丝。而电子保险丝则是通过半导体开关来断开连接，因而可以进行复位，而且通常能够自动复位。
2025-03-19
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LDO稳压器核心知识点全解析：掌握这些，你就是专家！
现代电子设备正变得越来越小，越来越便携。智能手表、健身追踪器、安防系统和物联网 (IoT) 设备越来越多地采用电池供电。因此，这些设备需要高效率电源稳压器，能够从每次充电中炸尽每一毫瓦的功率，以确保设备工作更长的时间。此外，这些设备的总过温升必须极小。传统的线性稳压器和开关模式电源稳压器无法轻易地满足这些便携式设备的效率要求。此外，开关模式电源稳压器也会受到噪声和瞬态电压的影响。
2025-03-18
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三种常见人体感应传感器的区别与实战方案
人体感应传感器能检测人体和物体接近，并给出变化的电平信号，实现开关和唤醒的功能，实现人体存在、微动、近距唤醒等多种低功耗雷达传感器的场景应用。在设备智能化，低碳节能和改善用户体验方面，移动感应器市场需求显著增加。
2025-03-18
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ST 新款微型单片降压转换器，用于智能电表、家电和工业电源转换器提供低电压电源
意法半导体新款微型单片降压转换器DCP3601集成大量的功能，具有更高的设计灵活性，可以简化应用设计，降低物料清单成本。这款芯片内置功率开关与补偿电路，构建完整的输出电压设置电路，仅需电感器、自举电容、滤波电容、反馈电阻等6个外部元件。
2025-03-05
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基于 MHz 开关频率的器件助力实现 DC-DC 转换器和 EMI 滤波器的小型化
对于 DC-DC 电源转换器而言，使系统小型化并提高整体功率密度的一种显著方法是通过更高频率的开关。然而，尽管开关频率超过 1.3 MHz 的系统具有潜在优势，但迫于技术挑战，许多设计人员直到现在仍在使用较低的频率，例如 100 kHz 或更低……。阅读本文了解使用高密度电源模块进行设计如何改变这一现状。
2025-03-04
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STSPIN32G0上新两款低压产品，design win见证卓越
意法半导体 (ST) 的STSPIN32系列产品集成了MCU与功率开关管栅极驱动器，不仅节省了成本，还简化了设计流程，整个系统的体积最多可缩小65%，这些特性让它在市场上脱颖而出备受青睐。
2025-02-27
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硅基功率开关已经转向GaN开关了吗？
在开关模式电源中使用GaN开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况，提到了所面临的挑战，并展望了GaN作为硅的替代方案在开关模式电源中的未来前景。如今，电源管理设计工程师常常会问道：现在应该从硅基功率开关转向GaN开关了吗？
2025-02-26
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自动测试设备应用中PhotoMOS开关的替代方案
人工智能(AI)应用对高性能内存，尤其是高带宽内存(HBM)的需求不断增长，芯片设计因此变得更加复杂。自动测试设备(ATE)厂商是验证这些芯片的关键一环，目前正面临着越来越大的压力，需要不断提升自身能力以满足这一需求。传统上，在存储器晶圆探针电源应用中，PhotoMOS开关因其良好的低电容乘电阻(CxR)特性而得到采用。低CxR有助于减少信号失真，改善开关关断隔离度，同时实现更快的开关速度和更低的插入损耗。
2025-02-23
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第 4 代碳化硅技术：重新定义高功率应用的性能和耐久性
本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承，Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案，重新定义行业基准。在第 4 代发布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 凭借多项重要设计要素的平衡，已在广泛用例中得到验证，为硬开关应用的全面性能设定了基准。
2025-02-20
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