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一文读懂SiC Combo JFET技术
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用，如固态断路器和大电流开关系统。得益于碳化硅（SiC）优异的材料特性和 JFET 的高效结构，可实现更低的导通电阻和更佳的热性能，非常适合需要多个器件并联以高效管理大电流负载的应用场景。
2025-06-26
安森美 SiC JFET并联技术 固态断路器解决方案 大电流SiC JFET Combo JFET结构
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控制回路仿真入门：LTspice波特图分析详解
在电源设计中，控制回路的稳定性是确保电源可靠运行的关键。一个设计不当的控制回路可能导致电源振荡、输出纹波过大，甚至降低电磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的响应速度直接影响到电源对负载变化和输入电压波动的适应能力。为了确保电源的稳定性和高效性，控制回路的仿真分析至关重要。
2025-06-25
LTspice 波特图分析 控制回路仿真 开关稳压器 电源稳定性优化 相位裕度 增益带宽
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EA电池模拟器：重构电池研发全流程的技术引擎
在新能源产业爆发式增长的背景下，电池技术已成为制约电动汽车续航里程、消费电子产品体验、可再生能源储能效率的关键瓶颈。传统电池研发模式依赖大量物理原型迭代，不仅面临周期长、成本高的挑战，更难以覆盖极端工况下的性能验证。EA电池模拟器的出现，通过构建电池的数字孪生模型，为工程师提供...
2025-06-25
EA电池模拟器 电池仿真技术 双向直流电源 电池内阻测试 电池模拟软件
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安森美SiC技术赋能AI数据中心，助力高能效电源方案
紧跟人工智能的算力步伐，全球数据中心正面临前所未有的能耗挑战。面对大模型训练、实时推理等场景带来的指数级能耗增长，全球领先的智能电源与感知技术供应商安森美（onsemi）正式推出《AI数据中心系统方案指南》，首次系统性展示其基于尖端碳化硅（SiC）技术的全链路电源解决方案，为下一代超算中...
2025-06-25
安森美 碳化硅 数据中心电源 AI服务器供电方案 SiC技术 数据中心能效提升 系统方案指南
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芯耀蓉城！西部电博会半导体专区全产业链集结
2025年7月9日至11日，第十三届中国（西部）电子信息博览会将于成都世纪城新国际会展中心8、9号馆盛大启幕！本届展会汇聚500余家行业领军企业、30余个专业买家团，预计吸引2万名观众共襄盛举。展会同期举办多场高端论坛、技术赛事及供需对接活动，其中半导体专区将集中展示产业链前沿成果，成为行业...
2025-06-25
2025西部电博会 半导体专区 成都电子信息博览会 西部半导体展会 功率半导体展会
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破局电动车续航！罗姆第4代SiC MOSFET驱动助力丰田bZ5性能跃迁
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块，已应用于丰田汽车公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下简称“丰田”）面向中国市场的全新跨界纯电动汽车（BEV)“bZ5”的牵引逆变器中。
2025-06-24
罗姆 丰田bZ5 电驱技术 第四代SiC MOSFET 车规级碳化硅模块 电动车牵引逆变器
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驯服电源幽灵：为敏感器件打造超低噪声供电方案
在射频通信、精密测量、高分辨率数据采集等尖端领域，毫伏级的电源噪声都可能成为性能的致命杀手。锁相环（PLL）的相位噪声恶化、压控振荡器（VCO）的输出频率漂移、高分辨率模数转换器（ADC）的有效位数（ENOB）下降——这些敏感电路的卓越性能，无一不建立在超低噪声、超高纯净度的电源基础之上。本...
2025-06-24
超低噪声电源设计 射频电源解决方案 μV级电源噪声 低噪声LDO 低噪声电源模块
- 安森美与舍弗勒强强联手，EliteSiC技术驱动新一代PHEV平台
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