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技术文章

ROHM全面启动新型SiC塑封型模块的网售！

面对全球日益严峻的电力紧缺危机与节能需求的迫切提升，功率转换效率的优化已成为各行业关注的焦点。在此背景下，全球知名半导体制造商ROHM于2026年2月26日宣布，其旨在实现高效率功率转换的三款新型SiC模块——“TRCDRIVE pack™”、“HSDIP20”及“DOT-247”正式开启网络销售。这些产品不仅涵盖了从电动汽...

2026-02-26

ROHM SiC模块 TRCDRIVE pack™

降本增效利器：为何RS485多合一方案能节省30%~60%的综合成本？

面对电磁干扰强烈、布线距离长、监测参数多样等实际痛点，传统的单参数模拟量传输方案已难以满足高效集成的需求。RS485差分信号总线凭借其天然的强抗干扰能力、长达1200米的传输距离以及卓越的多点组网特性，成为了构建高可靠物联网底层架构的首选。特别是当这一成熟通信标准与如风觉Airbox-100DC这...

2026-02-26

RS485 多合一传感器风觉Airbox-100DC

降本增效利器：为何RS485多合一方案能节省30%~60%的综合成本？

2026-02-26

RS485 多合一传感器风觉Airbox-100DC

确保电路稳定：肖特基二极管选型与替换要点

在现代电子电路设计中，肖特基二极管凭借其卓越的低正向压降和极速开关特性，已成为功率电源、频率转换器及电路保护等关键领域的核心元件。然而，面对供应链波动导致的型号缺货或产品迭代带来的设计更新需求，工程师往往需要进行器件替换。这一过程并非简单的“即插即用”，尤其是当涉及不同封装形式...

2026-02-26

肖特基二极管封装电气

如何正确使用场效应管？从选型偏置到散热防护的必修课

场效应晶体管（FET）凭借其独特的电压控制机制和优异的物理特性，在从微小信号放大到大规模集成电路集成的广阔领域中有着重要地位。与传统的电流控制型双极性晶体管不同，场效应管利用多数载流子导电，不仅具备极高的输入阻抗和对称的源漏结构，更展现出卓越的温度稳定性和低功耗优势。本文将深入剖...

2026-02-26

场效应管 MOSFET JFET 晶体管

XMOS亮相Embedded World 2026：首发音频生成式SoC，共启边缘智能新纪元

2026年3月10日至12日，全球嵌入式与边缘智能领域的年度盛会——国际嵌入式展览会（Embedded World 2026）将在德国纽伦堡盛大启幕。作为边缘AI与智能音频技术的领军者，XMOS将携其革命性的生成式系统级芯片（GenSoC）、基于xcore.ai平台的本地智能解决方案以及多模态实时感知技术重磅亮相4号馆4-550展...

2026-02-26

XMOS Embedded World 2026 SoC

利用寄生二极管：PMOS如何实现毫欧级超低损耗的电源反接保护

面对日益复杂的电路应用场景，如何在实现高效防反接保护的同时，兼顾低损耗、低成本以及后级器件的安全性，成为工程师面临的关键挑战。传统的“二极管串联保险丝”方案虽然结构简单，但在应对电源反接时存在维护成本高、无法完全消除负压冲击等显著弊端，难以满足高性能系统的需求。相比之下，基于PMO...

2026-02-26

PMOS防反接电路寄生二极管超低内阻

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