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DSP+DSA 架构革新：安谋 “周易” X3 NPU 的技术密钥
“算力墙”“内存墙”“功耗墙”已成为制约智能终端实现更复杂AI任务与更高计算效率的核心问题。神经网络处理器（NPU）作为支撑AI计算的核心硬件单元，是突破上述技术困局的关键支撑。安谋科技（Arm China）推出的“周易”X3 NPU IP，通过前瞻性的架构创新、深度的软硬件协同优化及开放的生态构建，为破解端...
2025-12-18
安谋科技 AI NPU
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CC-Link IE TSN 认证落地，ADI 两款芯片引领工业网络融合
工业以太网的高效整合与精准调度已成为制造业数字化升级的核心需求。近日，ADI旗下两款工业以太网时间敏感网络（TSN）交换芯片ADIN6310与ADIN3310，成功通过CC-Link IE TSN标准认证。此项里程碑式成果，不仅充分印证了ADI芯片的卓越性能与技术可靠性，更为信息技术（IT）网络与运营技术（OT）网络的...
2025-12-18
ADI CC-Link TSN 智能工厂
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英飞凌 HYPERRAM™存储芯片通过 AMD 验证
全球半导体领域两大领军企业达成重要合作成果——英飞凌与AMD成功完成关键技术验证，双方联合推出的存储解决方案为嵌入式人工智能（AI）领域带来突破性进展。英飞凌64MB HYPERRAM™存储芯片及配套控制器IP，在AMD Spartan™ UltraScale+™ FPGA SCU35评估套件上的测试表现优异为边缘嵌入式AI应用的研发及...
2025-12-18
存储芯片 AMD UltraScale FPGA 英飞凌
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GHz 频段的射频功率测量方案：BAT62-02W 二极管传感器制作
在无线电技术实践领域，GHz频段设备的研发与制作常受困于信号测量。频率与幅度作为射频信号的核心表征参数，目前平价3GHz频率计数器虽容易获取，但射频功率计成本较高难以普及。DL5NEG分享的技术方案提供了有效解决路径：通过BAT62-02W二极管搭建低成本射频功率传感器，能将射频信号转为直流电压以...
2025-12-18
BAT62-02W 二极管 传感器 GHz 频段设备 射频功率计
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10nm以下DRAM，三星DRAM技术突破存储行业版图
10纳米以下节点的技术突破成为行业发展的关键门槛。三星电子与三星综合技术院联手，在IEEE国际电子器件会议上公布了——可用于10纳米以下制程DRAM的高耐热核心技术，为这一领域带来了历史性突破。这项以非晶态铟镓氧化物材料为核心的创新，不仅攻克了CoP架构量产的高温工艺难题，更以扎实的稳定性数据...
2025-12-18
三星电子 DRAM 技术 半导体晶体管 存储技术
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村田参展CES 2026
株式会社村田制作所（以下简称“村田”）将出展2026年1月6日至1月9日在美国拉斯维加斯举办的国际科技展会CES 2026。村田将在展位上重点展示移动出行、智能网联、健康管理等领域的技术，以及帮助提升生活安全度与舒适性的解决方案和设备。
2025-12-18
村田
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2025智能戒指排名前十选购指南:从健康监测到穿戴的全面解析
近年来,可穿戴设备市场正经历一场由“手腕”向“手指”的悄然迁移。据IDC《2025年全球可穿戴设备趋势报告》显示,智能戒指品类在2024年出货量同比增长达187%,预计2026年市场规模将突破50亿美元。
2025-12-18
智能戒指
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