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汽车 GPU 算力新高度支持智驾芯片实现架构创新
随着汽车行业在“新四化”领域内迅猛地进步，汽车电子电气架构正在发生显著的变化。智能化的深入促使汽车计算架构逐步由传统的以分域来进行风险控制的分布式架构，转向以强调高性能计算同时减少冗余硬件和系统复杂性，从而提高系统效率和可靠性的中央计算架构。与此同时，一些新兴的功能在新车中的渗...
2024-12-03
汽车 GPU 算力 智驾芯片
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贸泽电子与Analog Devices和Bourns联手发布全新电子书
贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新电子书，探讨氮化镓 (GaN) 在效率、性能和可持续性方面的优势，以及发挥这些优势所面临的挑战。
2024-12-03
贸泽电子 Analog Devices Bourns 电子书
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英飞凌AURIX TC3x新增支持FreeRTOS
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的AURIX™ TC3x微控制器（MCU）系列新增了对FreeRTOS的支持。
2024-12-03
英飞凌
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借助支持边缘 AI 的 MCU 优化实时控制系统中的系统故障检测
本文中将讨论集成式微控制器 (MCU) 如何增强高压实时控制系统中的故障检测功能。此类 MCU 使用集成神经网络处理单元 (NPU) 运行卷积神经网络 (CNN) 模型，帮助在监测系统故障时降低延迟和功耗。通过将边缘 AI 功能集成到用于管理实时控制的同一 MCU 中，可以帮助您优化系统设计，同时增强整体性能。
2024-12-02
边缘 AI MCU 实时控制系统
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第10讲：SiC的加工工艺（2）栅极绝缘层
SiC可以通过与Si类似的热氧化过程，在晶圆表面形成优质的SiO2绝缘膜。这在制造SiC器件方面具有非常大的优势。在平面栅SiC MOSFET中，这种热氧化形成的SiO2通常被用作栅极绝缘膜，并已实现产品化。然而，SiC的热氧化与Si的热氧化存在一些差异，在将热氧化工艺应用于SiC器件时必须考虑到这一点。
2024-12-02
SiC 栅极绝缘层
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贸泽推出RISC-V技术资源中心 探索开源的未来
贸泽电子推出内容丰富的RISC-V资源中心，为设计工程师提供新技术和新应用的相关知识。随着开源架构日益普及，RISC-V从众多选项中脱颖而出，成为开发未来先进软硬件的新途径。从智能手机和IoT设备，再到高性能计算，RISC-V正在各行各业中发展成为更主流的指令集架构 (ISA)。
2024-12-02
贸泽 RISC-V技术
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迎机遇、创发展，广州国际汽车电子&功率半导体技术盛会，邀您共精彩！
3.1.jpg 2025年11月20-22日，第十二届广州国际汽车电子技术展览会，将于广州保利世贸博览馆盛大举办！
2024-11-29
AUTO TECH China
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英飞凌推出集成I²t线路保护功能的PROFET Wire Guard，通过eFuses实现可靠配电
现代分散式分区配电架构需要可靠的解决方案。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）通过 PROFET™ Wire Guard为开发人员提供先进的现代配电线路保护。
2024-11-29
英飞凌
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意法半导体比较器具有故障安全和启动时间保障，提高可靠性，节省电能
意法半导体的TS3121和TS3121A轨对轨、开漏、单通道比较器具有创新的故障安全架构和启动时间保障，可以简化短时间启动过程，在低功率应用中最大限度地降低功耗。
2024-11-28
意法半导体 比较器
- 强强联手！贸泽电子携手ATI，为自动化产线注入核心部件
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