汽车电子-技术中心-电子技术应用频道-电子元件技术网

汽车电子

第4代SiC MOS、1700V驱动…意法半导体透露了这些重点

过去一年，产业领先企业是如何抓住历史机遇勇立潮头？2023年，他们又将如何迈出新时代步伐？为此，行家说三代半、行家极光奖联合策划了《产业领袖开年说——2023，全力奔跑》专题报道，本期嘉宾是意法半导体亚太区功率分立和模拟产品部营销和应用副总裁 Francesco MUGGER。

2023-06-07

SiC MOS 驱动意法半导体

尼得科与瑞萨合作开发新一代电动汽车用电驱系统E-Axle的半导体解决方案

尼得科株式会社（以下简称“尼得科”）瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨电子”）已达成共识，将合作开发应用于新一代E-Axle（X-in-1系统）的半导体解决方案，该新一代E-Axle系统集成了电动汽车（EV）的驱动电机和功率电子器件。

2023-06-06

尼得科瑞萨电驱系统

瑞萨电子携多款先进解决方案亮相2023上海国际嵌入式展

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，将携多款面向汽车电子、工业、物联网及基础设施等应用领域的先进解决方案亮相2023上海国际嵌入式展（以下简称：ewCN）。本次展会将于2023年6月14日至16日在上海世博展览馆3号馆举行，瑞萨电子展位号：Hall 3，A090。在此次展会上瑞萨电子又...

2023-06-06

瑞萨电子上海国际嵌入式展

相较IGBT，SiC如何优化混动和电动汽车的能效和性能？

随着人们对电动汽车 (EV) 和混动汽车 (HEV) 的兴趣和市场支持不断增加，汽车制造商为向不断扩大的客户群提供优质产品，竞争日益激烈。由于 EV 的电机需要高千瓦时电源来驱动，传统的 12 V 电池已让位于 400-450 V DC 数量级的电池组，成为 EV 和 HEV 的主流电池电压。

2023-06-06

SiC 混动和电动汽车能效

X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案

中国北京，2023年6月2日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成为业界首家推出110纳米BCD-on-SOI解决方案的代工厂，由此加强了其在BCD-on-SOI技术领域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平台反映了模拟应用中对更高数字集成和处理能力日益增...

2023-06-05

X-FAB BCD-on-SOI 解决方案

纬湃科技和安森美签署碳化硅长期供应协议，共同投资于碳化硅扩产

2023年6月1日 - 纬湃科技（Vitesco Technologies）和安森美（onsemi）今天宣布了一项价值19亿美元（17.5亿欧元）的碳化硅产品10年期供应协议，以实现纬湃科技在电气化技术方面的提升。纬湃科技是国际领先的现代驱动技术和电气化解决方案制造商，将向安森美提供2.5亿美元（2.3亿欧元）的投资，用于采...

2023-06-05

纬湃科技安森美碳化硅

MOSFET电路不可不知

MOSFET已成为最常用的三端器件，给电子电路界带来了一场革命。没有MOSFET，现在集成电路的设计似乎是不可能的。

2023-06-05

MOSFET 集成电路

OBD-II 系统的 ESD 防护（下）

本文为OBD-II系统ESD保护系列文章的下篇。在前文《OBD-II系统的ESD防护（上）》中，我们已详细介绍了OBD-II端口及其支持的协议。

2023-06-01

OBD-II系统 ESD防护

降低电源纹波噪声的方法与实例

在应用电源模块常见的问题中，降低负载端的纹波噪声是大多数用户都关心的。下文结合纹波噪声的波形、测试方式，从电源设计及外围电路的角度出发，阐述几种有效降低输出纹波噪声的方法。

2023-06-01

电源纹波噪声方法

首页上一页 57 58 59 60 61 62 63 64 下一页尾页

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索

第4代SiC MOS、1700V驱动…意法半导体透露了这些重点

尼得科与瑞萨合作开发新一代电动汽车用电驱系统E-Axle的半导体解决方案

瑞萨电子携多款先进解决方案亮相2023上海国际嵌入式展

相较IGBT，SiC如何优化混动和电动汽车的能效和性能？

X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案

纬湃科技和安森美签署碳化硅长期供应协议，共同投资于碳化硅扩产

MOSFET电路不可不知

OBD-II 系统的 ESD 防护（下）

降低电源纹波噪声的方法与实例

友情链接(QQ：317243736)