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汽车电子

SiC MOSFET的短沟道效应

Si IGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 这篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性。直接翻译不免晦涩难懂，不如加入自己的理解，重新梳理一...

2023-04-24

SiC MOSFET 短沟道效应

超共源共栅简史

尽管宽带隙半导体已在功率开关应用中略有小成，但在由 IGBT 占主导的高电压/高功率领域仍未有建树。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共栅” 将打破现有局面。让我们一起来了解超共源共栅的历史，并探讨如何将其重新用于优化现代设计。

2023-04-24

超共源共栅 SiC FET Qorvo

Auto Accessories以及BMS的保护设计

随着汽车功能的丰富，USB2.0/3.0、电源输入口、按键、SD卡槽等被广泛应用。由于以下几点，ESD、突入电流、抛负载以及负载短路等成为了硬件设计人员关注要点。例如，干燥季节，静电通过这些接口破坏IC或设备中的任何其他ESD敏感器件；设备电源的开关，汽车启停以及人员的误操作等产生的突入电流对电...

2023-04-24

Auto Accessories BMS 保护设计

5月两场汽车电子高峰论坛来袭赋能汽车电子“芯”力量

汽车作为当下最火热的赛道，早已从初始的代步工具逐步蜕变，电子化在汽车发展史上发挥着至关重要的作用，2022年我国汽车电子市场规模达到9,783亿元（汽车工业协会数据）。汽车工业是国家制造业的标杆，随着汽车向电动化、智能化、网联化、共享化推进，以人工智能、物联网等为首的新一代信息技术深刻...

2023-04-23

汽车电子芯片

还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件

面对社会和监管要求，电源效率一直是电子系统的优先事项。特别是对于从电动汽车 (EV) 到高压通信和工业基础设施的应用，电源转换效率和功率密度是设计成功的关键。

2023-04-23

氮化镓高压电源 Nexperia

OBC充电器中的SiC FET封装小巧，功能强大

EV 车载充电器和表贴器件中的半导体电源开关在使用 SiC FET 时，可实现高达数万瓦特的功率。我们将了解一些性能指标。

2023-04-23

OBC充电器 SiC FET

“可靠、创新、服务”，12年开拓进取江波龙旗下品牌FORESEE迎来质变

江波龙一直是中国半导体存储行业的传奇。江波龙的发展历程，一直是业内人士关注的焦点。在2023中国市场闪存峰会（CFMS）上，江波龙SDG事业部、移动存储事业部总经理王友楠接受了维科网的采访，详述了公司的理念和规划，也介绍了FORESEE品牌持续发展的动力。

2023-04-21

江波龙 FORESEE 存储行业

纳芯微王升杨：中国模拟芯片公司为汽车产业蓬勃发展注入新动能

3月31日至4月2日，由中国电动汽车百人会主办，清华大学、中国汽车工程学会、中国汽车工业协会、中国汽车技术研究中心、中国汽车工程研究院共同协办的第九届中国电动汽车百人会论坛在北京钓鱼台国宾馆召开。论坛以"推进中国汽车产业现代化"为主题，来自政府有关部门和汽车、能源、交通、城市、通讯等...

2023-04-21

纳芯微模拟芯片汽车产业

电源模块应用疑惑与解惑

在电源模块选型应用中，曾经是否会因选用隔离电源模块还是非隔离电源模块而难做抉择？本文可以让你能快速做出判断，选择合理的供电方案，能够保证系统安全平稳运行。

2023-04-20

电源模块应用

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