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继电器的振动,可让MOSFET在开关关闭时被破坏

发布时间:2018-03-16 来源:电子说 责任编辑:lina

【导读】请注意由于与继电器控制并联的机械开关而产生的瞬态电压。当驱动感性负载时,不要将机械开关与MOSFET并联。当继电器关闭时,由于继电器的启动时间短,产生了高的瞬态电压(dv/dt),这通常是由于产生了大量的dv/dt而累积起来的。


潜在问题:
 
当MOSFET处于关闭状态时,开关的开启会导致MOSFET的破坏:由于机械开关的短暂时间,高的dvdt会激活在MOSFET中包含的寄生晶体管。浪涌的能量将集中在这种寄生晶体管上;这可以破坏寄生双极晶体管,并破坏MOSFET本身。MOSFET在漏极源和源极之间的绝对短路损坏。
 
Note:由于继电器的振动,MOSFET也可以在开关关闭时被破坏。
 
 
预防措施:
 
1.使用一个双极晶体管,用一个稳压二极管保护来限制振荡电压,其值低于VCEmax。39vzener电压是接受抛负载的推荐值。
 
 
2.使用一个zener保护二极管,其电压低于MOSFET的第二次击穿电压(第二个击穿电压可以低到50%的VDSmax)选择MOSFET(第二次击穿电压为39V)。
 

 
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