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展会里面谈合作，产业链中找伙伴 | 2025世界电源产业博览会助力企业发展
当电源技术成为数字时代的能量神经中枢,从芯片级元件到兆瓦级设备的每一次迭代,都在重塑科技产业的底层逻辑。在5G通信、人工智能、新能源汽车等技术爆发的今天,电源系统已不仅是能源转换载体,更成为融合高效节能、智能控制、绿色环保的科技集成平台。
2025-06-12
2025世界电源产业博览会
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多通道同步驱动技术中的死区时间纳米级调控是如何具体实现的？
在电力电子系统中，多通道同步驱动的死区时间直接影响系统效率和安全性。传统方案常面临时序误差累积（±10ns以上）、开关损耗高（占系统总损耗15%-25%）和模式切换不灵活等痛点。纳米级死区调控技术通过硬件架构革新与智能算法协同，将控制精度提升至亚纳秒级，为新能源汽车、高频电源等场景提供关...
2025-06-12
多通道同步驱动技术 纳米级调控
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集成化栅极驱动IC对多电平拓扑电压均衡的破解路径
在新能源汽车主驱模块（如800V平台）中，多电平拓扑通过串联开关器件实现高压阶梯化处理，但分立式驱动方案面临两大核心挑战。
2025-06-12
栅极驱动IC 多电平拓扑 电压均衡
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不同拓扑结构中使用氮化镓技术时面临的挑战有何差异？
氮化镓（GaN）器件因其高开关频率、低导通损耗的特性，正在快速渗透消费电子、汽车电驱和数据中心等领域。然而，不同拓扑结构对GaN器件的需求呈现显著差异：例如快充领域的LLC谐振拓扑需要高频率下的电磁干扰控制，而车载双向逆变器更关注动态电阻与耐压性能。本文将深入分析半桥拓扑、双向逆变拓扑...
2025-06-12
氮化镓 GaN器件 消费电子 汽车电驱 数据中心 扑结构
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如何解决在开关模式电源中使用氮化镓技术时面临的挑战？
在开关模式电源（SMPS）中使用氮化镓（GaN）技术时，尽管其在高功率密度、高频开关和低功耗方面具有显著优势，但也面临一系列技术挑战。
2025-06-12
氮化镓技术 开关模式电源
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7月9-11日相约成都！中国西部电博会观众登记火热开启
被誉为中国电子信息行业"风向标"的中国西部电子信息博览会将于7月9日至11日在成都世纪城新国际会展中心举办，来自全球电子信息领域的500余家企业将齐聚盛会。展会同期，还将举办15场以上论坛活动，全面聚焦行业热点领航电子信息产业发展，"天府之国"成都诚邀全球电子信息产业人士共襄盛会。
2025-06-11
西部电博会
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高频时代的电源革命：GaN技术如何颠覆传统开关电源架构？
在电力电子系统对能效和功率密度要求日益严苛的背景下，氮化镓（GaN）技术已成为推动开关模式电源（SMPS）发展的核心动力。相较于传统硅基器件，GaN凭借其3.4eV的宽禁带特性、更高的电子迁移率（990-2000 cm²/V·s）及更低的导通电阻（RDS(ON)），可将开关频率提升至兆赫级，同时减少30%...
2025-06-11
电力电子系统 氮化镓 GaN 开关模式电源
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