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OBD-II 系统的 ESD 防护（下）
本文为OBD-II系统ESD保护系列文章的下篇。在前文《OBD-II系统的ESD防护（上）》中，我们已详细介绍了OBD-II端口及其支持的协议。
2023-06-01
OBD-II系统 ESD防护
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降低电源纹波噪声的方法与实例
在应用电源模块常见的问题中，降低负载端的纹波噪声是大多数用户都关心的。下文结合纹波噪声的波形、测试方式，从电源设计及外围电路的角度出发，阐述几种有效降低输出纹波噪声的方法。
2023-06-01
电源纹波 噪声 方法
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SiC 和 GaN 功率器件的可靠性和质量要求
在 SiC 方面，GeneSiC 使用沟槽辅助平面栅极工艺流程，确保可靠的栅极氧化物和具有较低传导损耗的器件。测试表明，在 150-kHz、1,200-V、7.5-kW DC/DC 转换器应用中，温度较低的器件运行温度约为 25°C。据估计，这种温差可将器件寿命提高 3 倍。该公司对其 SiC 产品进行了 100% 的雪崩测试，其示例...
2023-05-31
SiC 功率器件 GaN 功率器件
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比对隔离电源与非隔离电源
在给嵌入式系统设计电源电路，或选用成品电源模块时，要考虑的重要问题之一就是用隔离还是非隔离的电源方案。在进行讨论之前，我们先了解下隔离与非隔离的概念，及两者的主要特点。
2023-05-31
隔离电源 非隔离电源
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基于形式的高效 RISC-V 处理器验证方法
RISC-V的开放性允许定制和扩展基于 RISC-V 内核的架构和微架构，以满足特定需求。这种对设计自由的渴望也正在将验证部分的职责转移到不断壮大的开发人员社群。然而，随着越来越多的企业和开发人员转型RISC-V，大家才发现处理器验证绝非易事。新标准由于其新颖和灵活性而带来的新功能会在无意中产生...
2023-05-31
RISC-V 处理器 验证
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国网新规下电力DTU最小系统核心板设计的新思路
根据国家能源局2020年能源领域行业标准制修订计划，中国电力科学研究院有限公司牵头起草了《12kV一二次融合成套柱上开关》、《12kV一二次融合成套环网箱》两项电力行业标准。2021年6月中国电科院配电技术中心组织30余家配电开关及配电终端主流生产企业开启了两项标准的执行。
2023-05-31
DTU 核心板 MCU
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ST中国区总裁介绍半导体制造战略：加大第三代半导体垂直整合，与客户长期双赢
对于ST而言，芯片设计和制造同样重要。ST在制造上的战略规划正在逐步实施，将会帮助其实现200亿美元营收和2027碳中和两大目标。而因为芯片制造漫长而又复杂，所以芯片厂商需要客户及早分享设计方案及生产计划，这样才能实现长期的双赢。
2023-05-31
ST 射频 功率GaN
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