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LG电子斥资逾8亿美元发展太阳能电池业务
近日，韩国LG电子表示计划在2015年以前斥资1兆韩元(约8.28亿美元)发展太阳能电池事业。LG电子预估在2015年前，太阳能电池事业将贡献3兆韩元营收，产能由240百万瓦提升至10亿瓦。
2010-06-23
LG 太阳能 光伏 电池
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欧洲研究项目瞄准能效更高的绿色电子产品
一项全新政府投资研究项目的合作方公布多国/多领域研究计划“END — 节能意识设计的模型、解决方案、方法和工具”的细节。这项为期三年的欧洲纳电子计划顾问委员会（ENIAC）计划的目标是提高欧洲半导体和电子设备厂商在开发能效领先于业界的新产品和新技术方面的市场竞争力。
2010-06-23
END 节能 绿色 欧洲 半导体 电子设备
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信号速率与线缆长度的关系
致力于CAN通信的设计人员遇到种种挑战，往返信号传输成为一个重要的考虑因素。本文介绍信号速率与线缆长度的关系，解决了传输速率和长度的关系，信号的往返将不再是问题。
2010-06-23
信号速率 线缆 CAN通信
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多晶硅锭制造技术
用于制造太阳能硅片的多晶硅锭的生长是一个相当复杂的工艺。硅锭生长工艺的目标在于优化硅锭合格率.因此生长工艺需要进行严格监控，并需对定向凝固炉在结晶工艺期间的无数种变量加以有效控制。本文简述多晶硅锭的制造技术
2010-06-23
多晶硅锭 凝固工艺 线切割 凝固炉
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新材料对测量技术的挑战
在谈及芯片技术进步时，除了不断缩小的技术节点，新材料的采用往往可以另辟蹊径。目前谈论较多的是高k介质、金属栅、低k材料等，其它一些较为冷门的材料，如碳纳米管、石墨稀、二嵌段共聚物等也开始进入人们的视野。越是新兴的物质越难以捉摸和测量，这就要求测量技术能够“与时俱进”。本文对新材料...
2010-06-23
新材料 测量技术 3D集成 硅通孔技术
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半导体制造晶圆检测技术分析
半导体制造业广泛采用了晶圆自动检测方法在制造过程中检测缺陷，以缓解工况偏差和减低总缺陷密度。本文介绍晶圆检测方法进展，有效方式识别与良率相关的缺陷。
2010-06-22
晶圆检测 缺陷检测 在线晶圆检测
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通孔刻蚀工艺的检测技术研究
随着半导体制造技术推进到更加先进的深亚微米技术，半导体金属布线的层数越来越多，相应的通孔刻蚀工艺也越多，并且伴随着通孔的尺寸随着器件设计尺寸逐步缩小。以DRAM制造为例，存储量由4M发展到512M时，设计规则由1μm缩小到0.16μm，其中通孔的尺寸也从0.8μm下降到了0.25μm。通孔尺寸越小，刻蚀的...
2010-06-22
通孔刻蚀工艺 检测技术 晶体管
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射频封装系统
在RF系统中，各类元件采用不同的技术制作而成，例如BBIC采用CMOS技术、收发机采用SiGe和BiCMOS技术、RF开关采用GaAs技术等。系统芯片(SOC)的优势是把所有功能整合在同一块芯片上，但却受到各种IC技术的限制，因此不能有效利用上述各项技术的优势。系统级封装(SiP)可以对各种不同技术的不同电、热和...
2010-06-22
射频 封装系统 ASIC BBIC
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原子层淀积技术
ALD技术的独特性决定了其在半导体工业中的运用前景十分广泛。器件尺寸的缩小导致的介质薄膜厚度的减小已超出了其物理和电学极限，同时高纵宽比在器件结构中随处可见。由于传统的淀积技术很难满足需求，ALD技术已充分显示了其优势，为器件尺寸的继续微缩提供了更加广阔的空间。本文介绍原子层淀积技...
2010-06-22
原子层淀积 ALD MOCVD PVD
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