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粤港澳大湾区领航全球电子产业革新 CITE2025启幕勾勒AI与低空经济新纪元
2025年4月9日，第十三届中国电子信息博览会（CITE2025）在深圳会展中心盛大启幕。以“科技引领 ‘圳’聚创新”为轴心，这场全球电子产业顶级盛会汇聚超千家科技巨头与创新先锋，首次全景式呈现从基础电子元器件到低空经济万亿级市场的全链生态。AI算力年增230%的爆发式需求、人形机器人精度突破0.01mm的...
2025-04-10
粤港澳大湾区 CITE2025 AI
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晶闸管选型与应用实战指南：多维参数平衡与场景化设计深度解析
在电力电子领域，晶闸管犹如一把掌控电能流向的智能钥匙，凭借其独特的单向导通特性和强大的功率处理能力，在工业控制、能源转换等领域持续发挥着重要作用。随着电力系统复杂度的提升，如何科学选型并充分发挥其性能，已成为工程师必须掌握的核心技能。
2025-04-08
晶闸管 电力电子
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物联网边缘传感器节点进化论：从单处理器到多核异构的跨越式发展
嵌入式系统正以越来越快的速度继续其技术演进；我们家庭、车辆和工作场所中的设备功能正在突飞猛进地发展。这一进步的一个关键驱动因素是，即使是最小的电子设备也能够连接到我们的现代网络基础设施。Wi-Fi®、蓝牙®和其他连接选项使得现场更新和维护变得更加容易，同时增加了人工智能和机器学习算法...
2025-04-08
物联网 边缘传感器 单处理器 嵌入式系统
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二次整流电路设计难点解析
在电源工程师欢呼有源钳位正激转换器(ACFC)突破50%占空比限制之际，一个被长期忽视的设计陷阱正在浮现——最小占空比(Dmin)的精细控制已成为决定系统可靠性的生死线。实测数据显示，当Dmin低于15%时，ACFC的开关损耗会陡增300%，电磁干扰(EMI)恶化达18dBμV。
2025-04-08
二次整流电路
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碳化硅能效革命核心突破点：共源共栅（cascode）结构详解
安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共栅场效应晶体管（SiC JFET cascode）在硬开关与软开关应用场景中展现出显著技术优势。其官方发布的《SiC JFET共源共栅应用指南》系列文档，通过三篇技术解析深入剖析器件特性，本文作为开篇之作，将聚焦阐释cascode结构的核心机理。该指南不仅系统阐述共源共栅器...
2025-04-08
碳化硅 共源共栅 安森美
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福禄克声学新品震撼上市
在全球声学检测技术领域，福禄克公司一直以其创新精神和卓越品质著称。近期，福禄克发布了最新款ii1020C工业声学成像仪，在性能、功能和用户体验上均实现了显著提升，旨在为工业检测和电力设备维护提供更为高效和精准的解决方案。
2025-04-08
福禄克
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赋能AI与能源及数字化转型，TDK解决方案亮相慕尼黑上海电子展
TDK株式会社4月7日宣布，将于2025年4月15日至17日慕尼黑上海电子展（展位号N1.210），围绕「为可持续的未来加速转型」的核心理念，集中展示人工智能技术应用、绿色能源与数字化转型的前沿创新成果，覆盖电子应用全领域的创新技术和产品解决方案，推动各行业向更智能、更高效、更低碳的未来加速转型。
2025-04-08
AI 能源 数字化转型 TDK
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第18讲：SiC MOSFET的动态特性
SiC MOSFET的阈值电压（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低阈值电压可降低SiC MOSFET的通态电阻。驱动SiC MOSFET需要对栅极施加负偏压，并仔细设计控制电路布线，这是为了防止噪声干扰引起的故障。此外，阈值电压随着温度升高而降低（图1），因此建议在高温运行期间检查是否有异常。
2025-04-07
SiC MOSFET 阈值电压
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相位魔法解码：真时延技术如何实现毫米级指向精度
相控阵天线通过移相器、真时延或二者的组合，使合成波束更精确地指向阵列转向角度内的所需方向。本文将介绍这两种方法，以及更宽带宽的天线阵列是如何推动真时延在其系统设计中的应用。
2025-04-07
相控阵天线 真时延技术
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